電子器件製造裝置用高純炭素製品

電子器件製造裝置用高純炭素製品電子器件製造裝置用高純炭素製品

生產以記憶芯片為代表的電子器件，要經過多種處理工藝。圖所示為有關形成電子器件回路的矽片處理工序。

矽片外延處理工序。在此工序中，以矽片為基板，在其表麵生成同樣的矽單晶的同時，通過摻加不純物而形成p型層或n型層。外延工藝一般以CVD法(化學氣相沉澱)為主流。其裝置的概略如圖所示。工藝流程為，用氟酸將矽片清洗，幹燥後，貼置於基座上，然後加熱升溫，通入鹽酸除去矽片表麵的氧化層，生成外延層。基座要求選擇具有不能伴有金屬汙染、耐高溫及耐鹽酸腐蝕、不與矽反應、沒有氣體發生等特性的材料。作為能滿足這些要求的材

料，一般使用以高純炭素製品為基材，通過CVD法在基材表麵進行高純SiC塗層的基座。

氧化、擴散工序。對於矽材料器件而言，這個工序是形成絕緣膜的最重要的工序。形成絕緣膜的方法有高溫氧化法和CVD法。在單體處理式的等離子體CVD方法中，高純炭素製品既是等離子體的放電電極，也是矽片的支撐板。其裝置概略如圖所示。這裏所使用的材料，同樣要求不能使用中伴有金屬汙染，而且需具有誘發等離子發生的導電性，以及對反應氣體、電極板清洗氣體的抗腐蝕性。為了解決蜜桃视频APP网站入口內部微量不純物的發生問題，有時也使用在表麵進行玻璃炭塗層或熱分解塗層，或者浸漬的炭素製品。現在，單體式裝置正在逐步減少，而代之以枚葉式裝置。